Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光集積素子 | |
| 其他题名 | 光集積素子 |
| 竹ノ内 弘和; 黒川 隆志 | |
| 1997-10-07 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1997-10-07 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 光受動素子を集積した光集積素子提供することを課題とする。 【解決手段】 光集積素子は、アルミニウム(Al)を構成元素とする半導体層であるInAlAs(12)の一部を酸化してInAlAs選択酸化層(13)を形成してなる光受動素子を集積化してなるものである。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：为了获得具有平面特性的光学集成元件，具有高尺寸精度，并且与光学无源元件集成，光学无源元件通过集成由氧化半导体层的一部分形成的光学无源元件而容易地制造。铝作为它们的构成元素，从而构成集成元件。解决方案：通过集成光学无源元件构成光波导。通过氧化部分InAlAs 12，其是由铝组成的半导体层作为它们的构成元素。该制造方法包括在InP衬底14上外延生长InAlas层和InP包层1然后在该InP包层11上图案化波导。通过选择性蚀刻将InP包层11和选择性氧化的InAlAs层13向下移除到规定区域以外的InP衬底14。只有选择性氧化的InAlAs层13被氧化成中间排他的InAlAs核12，由此形成选择性氧化的InAlAs层13。 |
| 申请日期 | 1996-03-29 |
| 专利号 | JP1997265020A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996075888 |
| 公开（公告）号 | JP1997265020A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | G02B6/122 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 光石 俊郎 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84061 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹ノ内 弘和,黒川 隆志. 光集積素子. JP1997265020A[P]. 1997-10-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997265020A.PDF（27KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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