Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Electron beam laser | |
| 其他题名 | Electron beam laser |
| PACKARD, JAMES R.; CAMPBELL, DONALD A.; TAIT, WILLIAM C.; DIERSSEN, GUNTHER H. | |
| 1973-09-04 | |
| 专利权人 | MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY |
| 公开日期 | 1973-09-04 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A longitudinal-direction laser. The laser device comprises a source of electrons and a light resonant cavity which includes a direct band-gap semiconductor crystal having a pair of spaced, opposing, smooth faces. When a beam of electrons of at least a predetermined energy and current density is impinged upon one of the crystal faces, laser emission produced within an active region of the crystal is emitted from at least one of the crystal faces in a direction generally longitudinal to the direction of the beam of electrons. When laser emission is produced, the active region depth is less than the crystal thickness in the direction normal to the opposing faces. |
| 其他摘要 | 纵向激光。该激光器件包括电子源和光谐振腔，该光谐振腔包括具有一对隔开的，相对的光滑面的直接带隙半导体晶体。当至少具有预定能量和电流密度的电子束照射在其中一个晶面上时，在晶体的有源区域内产生的激光发射从至少一个晶面沿大致纵向的方向发射。电子束的方向。当产生激光发射时，有源区深度小于垂直于相对面的方向上的晶体厚度。 |
| 申请日期 | 1970-06-01 |
| 专利号 | US3757250 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US05/042437 |
| 公开（公告）号 | US3757250 |
| IPC 分类号 | H01S3/0955 | H01S3/0959 | H01S5/00 | H01S5/062 | H01S3/09 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84059 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | PACKARD, JAMES R.,CAMPBELL, DONALD A.,TAIT, WILLIAM C.,et al. Electron beam laser. US3757250[P]. 1973-09-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US3757250.PDF（254KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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