Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Injection lasers | |
| 其他题名 | Injection lasers |
| PETER, RICHARD, SELWAY; ANTHONY, RICHARD, GOODWIN; GEOFFREY, HOWARD, BACKHOUSE | |
| 1972-05-24 | |
| 专利权人 | STANDARD TELEPHONES AND CABLES LIMITED |
| 公开日期 | 1972-05-24 |
| 授权国家 | 英国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 1275886 Lasers STANDARD TELE. PHONES & CABLES Ltd 3 May 1971 12675/71 Heading H1C To obtain a higher peak pulse power output from a semi-conductor laser 1, at least one cleaved reflecting surface 3 has its reflectivity reduced by applying a reflection-reducing coating 7. In the GaAs laser shown, the opposite cleaved surface 2 has its reflectivity enhanced by an aluminium coating 5, an intermediate layer 6 of alumina being provided to prevent short circuiting. The reflection-reducing layer may be silicon monoxide for coupling the laser output into air or vacuum, and zinc sulphide for coupling into glass such as an optical fibre. A theoretical analysis is given. |
| 其他摘要 | 1275886 Lasers STANDARD TELE。 PHONES＆CABLES Ltd 1971年5月3日12675/71标题H1C为了从半导体激光器1获得更高的峰值脉冲功率输出，至少一个裂开的反射表面3通过应用减反射涂层7而降低其反射率。如图所示的GaAs激光器，相对的裂开表面2的反射率通过铝涂层5增强，提供氧化铝中间层6以防止短路。反射减少层可以是用于将激光输出耦合到空气或真空中的一氧化硅，以及用于耦合到诸如光纤的玻璃中的硫化锌。给出了理论分析。 |
| 申请日期 | 1971-05-03 |
| 专利号 | GB1275886A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | GB1971012675 |
| 公开（公告）号 | GB1275886A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/028 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84053 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | STANDARD TELEPHONES AND CABLES LIMITED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | PETER, RICHARD, SELWAY,ANTHONY, RICHARD, GOODWIN,GEOFFREY, HOWARD, BACKHOUSE. Injection lasers. GB1275886A[P]. 1972-05-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GB1275886A.PDF（206KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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