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Tunable semiconductor laser
其他题名Tunable semiconductor laser
DAMEN, THEODOOR C.; DUGUAY, MICHEL A.
1983-07-26
专利权人BELL TELEPHONE LABORATORIES, INCORPORATED, A CORP. OF N.Y.
公开日期1983-07-26
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要Tunable laser radiation is obtained by pumping a wedge-shaped ultra-short laser cavity with picosecond excitation pulses. Continuous tuning of the laser is achieved by translating either the wedge-shaped laser cavity or the excitation pulses so that different volumes of the laser material are exposed to the excitation pulses. In one embodiment utilizing picosecond laser excitation pulses the wedge-shaped laser cavity is a slightly wedged film of GaAs coated on both sides with dielectric mirrors.
其他摘要通过泵浦具有皮秒激发脉冲的楔形超短激光腔来获得可调谐激光辐射。通过平移楔形激光腔或激发脉冲来实现激光的连续调谐,使得不同体积的激光材料暴露于激发脉冲。在利用皮秒激光激发脉冲的一个实施例中,楔形激光腔是略微楔入的GaAs膜,其两侧涂有介质镜。
申请日期1981-03-03
专利号US4395769
专利状态失效
申请号US06/240206
公开(公告)号US4395769
IPC 分类号H01S3/06 | H01S5/06 | H01S3/063 | H01S5/00 | H01S5/10 | H01S3/094 | H01S5/04 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构EINSCHLAG, MICHAEL B. PFEIFLE, ERWIN W.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84038
专题半导体激光器专利数据库
作者单位BELL TELEPHONE LABORATORIES, INCORPORATED, A CORP. OF N.Y.
推荐引用方式
GB/T 7714
DAMEN, THEODOOR C.,DUGUAY, MICHEL A.. Tunable semiconductor laser. US4395769[P]. 1983-07-26.
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