半導体発光装置の製造方法

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	半導体発光装置の製造方法
其他题名	半導体発光装置の製造方法
	牛嶋一郎; 中井三郎; 生沼一幸; 大宮史也
	1996-07-08
专利权人	富士通株式会社
公开日期	1996-10-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To improve an active layer in growth controllability and a product in yield by a method wherein a clad layer and an active layer adjacent to it are made to grow gradually on a substrate and in a groove apart from each other respectively. CONSTITUTION:A current constriction layer 22 composed of p-InP is made to grow on a substrate 2 A V-shaped groove 23 parallel with the orientation (011) is formed. An A laser 24 is formed of n-InP, a B layer 25 of non-doped InGaAsP, a C layer 26 of p-InP, and a contact layer 27 of p-InGaAsP are successively grown and laminated in this sequence. An n-side ohm electrode 28 is formed on the substrate 21 and a p-side ohm electrode 29 is formed on the contact layer 27. The growth speed of crystal in the flat part is slower than usual, therefore the supersaturation level of a solution is set to be largish and the A layer 24 and the B layer 25 are made to grow, a lower clad layer 30 and an active layer 31 can be formed in the V-shaped groove 23 independently of the A layer 24 and the B layer 25, and an upper clad layer 32 is formed on the active layer 31, where these layers can be uniformly and controllably formed into required shapes.
其他摘要	目的：通过一种方法改善生长可控性和产率的有效层，其中使包层和与其相邻的活性层分别在基板上和彼此分开的槽中逐渐生长。组成：使由p-InP组成的电流收缩层22在基板21上生长。形成与方向（011）平行的V形槽23。由n-InP形成的A激光器24，非掺杂的InGaAsP的B层25，p-InP的C层26和p-InGaAsP的接触层27依次生长并以此顺序层叠。在基板21上形成n侧欧姆电极28，在接触层27上形成p侧欧姆电极29.平坦部分中晶体的生长速度比通常慢，因此溶液的过饱和水平设置为较大并且使A层24和B层25生长，可以独立于A层24和B层在V形槽23中形成下包层30和有源层31如图25所示，在有源层31上形成上包层32，其中这些层可以均匀且可控制地形成所需的形状。
申请日期	1987-12-18
专利号	JP2538960B2
专利状态	失效
申请号	JP1987321906
公开（公告）号	JP2538960B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84034
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	牛嶋一郎,中井三郎,生沼一幸,等. 半導体発光装置の製造方法. JP2538960B2[P]. 1996-07-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2538960B2.PDF（48KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文