Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 本多 正治; 松川 健一 | |
| 1993-03-26 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1993-03-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 瞬時光学損傷を防止して、高光出力を可能にする簡単な構造のAlGaInP系半導体等からなる半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 n形AlGaInPクラッド層3とp形AlGaInPクラッド層5の間にAlGaInP活性層4とからなるAlGaInP系半導体レーザ装置において、p形AlGaInPクラッド層5の光放出を行う端面に(NH4)2C4O6溶液で処理した後、熱処理を行うことにより、p形AlGaInPクラッド層5のうち端面付近25のpキャリア濃度を低減し、高抵抗にする。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种由AlGaInP半导体等构成的半导体激光器，其具有简单的结构，通过防止瞬间光损伤而允许高光输出，及其制造。组成：在由n型AlGaInP包层3，p型AlGaInP包层5和其间的AlGaInP有源层4组成的AlGaInP半导体激光器件中，在端部进行（NH4）2C4O6溶液处理。进行p型AlGaInP包层5的发光，然后进行热处理，以降低p型AlGaInP包层5的端部25附近的p-载流子浓度，形成高电阻区域。 |
| 申请日期 | 1991-09-18 |
| 专利号 | JP1993075206A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991238105 |
| 公开（公告）号 | JP1993075206A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/16 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 西野 卓嗣 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83988 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,松川 健一. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP1993075206A[P]. 1993-03-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993075206A.PDF（211KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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