Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光素子 | |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 矢沢 正光; 百瀬 正之; 濱田 博; 田中 俊明 | |
| 2000-11-02 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】ビームアスペクト比を1に近づけるための従来の方法は、加工基板の形状が複雑かつ成長プロセスが非常に複雑であった。 【解決手段】マスク付き基板を用いた選択成長により、マスク開口部より小さい、あるいはそれと同等な幅をもち、(111)を斜面とする屋根型をしたレーザ活性層構造を形成し、マスク除去後さらに上記(111)面上に成長が起こりにくいMOCVD成長条件下で上記屋根型部をpn構造で埋め込む |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过晶体生长方法，通过其中III.V化合物半导体在高温下生长的方法和V / III摩尔比材料制造具有低纵横比和高再现性的激光器结构天然气保持很高。解决方案：首先，在N型GaAs衬底1上形成绝缘膜，形成绝缘膜掩模图案5，在掩模开口上生长N型AlGaInP覆层2，然后形成多量子阱活性生长第3层。然后，生长P型AlGaInP包层4。此时，将生长温度设定得高，并将摩尔比V / III原料气体设定得高。然后，去除绝缘体掩模5，将脊形有源层结构掩埋在AlGaInP-pn结构6中，P型电极金属7和N型电极金属8各自在前后蒸发。设备，从而完成设备结构。因此，光束的宽度加宽并且纵横比减小到0到2.0，从而可以简化光学头光学系统，特别是透镜系统的结构，并且可以降低这种结构的半导体光学器件的成本。 。 |
| 申请日期 | 1999-04-20 |
| 专利号 | JP2000307196A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999111815 |
| 公开（公告）号 | JP2000307196A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 作田 康夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83970 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 矢沢 正光,百瀬 正之,濱田 博,等. 半導体光素子. JP2000307196A[P]. 2000-11-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000307196A.PDF（183KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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