半導体レーザ素子およびその製造方法

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	半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法
	森岡達也; 大林健; 高橋幸司; 池田裕章
	2007-04-06
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2007-06-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】 GaAs基板上に形成された活性層に少なくともInGaAsN層を含んでいる半導体レーザ素子において、従来のAlGaAs系,InGaAsP系で素子を形成した場合、素子設計におけるバンド構造の自由度が小さく特性の良好なものが得られない、さらにこれらの各層で最適結晶成長温度が異なることから界面で待ち時間を設ける必要があり、これに起因して信頼性の良好なものを得ることができていなかった。【解決手段】従来用いられていたAlGaAs層或いはInGaAsP層の代わりにInGaAlAsN層或いはInGaAsPN層を使用することにより、InGaAsN層とAlGaAs層或いはInGaAsP層の中間のバンド構造を有するものが得られ設計の自由度が向上する。さらに各層で結晶成長温度を一定に保つことができ信頼性の向上が図れる。
其他摘要	在包括在GaAs衬底上形成的有源层中的至少InGaAsN层的半导体激光器件中，当形成传统的AlGaAs基或InGaAsP基器件时，器件设计中的能带结构的自由度小并且特性无法获得，并且由于这些层中的每一层的最佳晶体生长温度不同，因此必须在界面处提供等待时间，并且由此，不可能获得良好的可靠性。是的。通过使用InGaAlAsN层或InGaAsPN层代替常规使用的AlGaAs层或InGaAsP层，可以获得具有介于InGaAsN层和AlGaAs层或InGaAsP层之间的带结构的材料并且设计自由度学位得到改善。此外，晶体生长温度可以在每层中保持恒定，并且可以提高可靠性。
申请日期	1997-06-26
专利号	JP3938976B2
专利状态	失效
申请号	JP1997169882
公开（公告）号	JP3938976B2
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L33/00 \| H01L33/32 \| H01S5/00
专利代理人	山崎宏 \| 前田厚司 \| 仲倉幸典 \| 小池隆彌
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83940
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	森岡達也,大林健,高橋幸司,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3938976B2[P]. 2007-04-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3938976B2.PDF（357KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文