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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	KOBAYASHI KEISUKE; NAKAJIMA HISAO; WATANABE NOZOMI; YAMASHITA MASATO; FUKUZAWA TADASHI
	1988-09-21
专利权人	KOGYO GIJUTSUIN
公开日期	1988-09-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To reduce the lateral spread of an injected current in an active layer, by providing a pair of multicrystal layers, with a stripe part left at positions adjacent to the active layer in one clad layer of the clad layers holding the active layer inbetween. CONSTITUTION:Clad layers 4 and 6 are constituted by compound semiconductors having a refractive index which is larger than the refractive index of an active layer 5 and provided on the upper and lower surfaces of the active layer 5. An SiO2 film 3 is formed on the layer 4, with a stripe part 3' remained. Thereafter, a compound semiconductor, which is the same as the layer 4, is grown on the layer 4. Then, a single crystal layer 9 is formed in the part 3' and the upper part thereof. On the film 3, a pair of multicrystal layers 2 are formed on both sides of the layer 9. The layers 2 and the layer 9 act as a clad layer. Therefore the layer 4 can be made thin. The layers 2 can be formed at the positions, which are closer to the layer 5 by the amount of the thickness reduction. When an exciting current is injected, the current is confined in a stripe shape by the layers 2 and injected into the layer 5 under this state. The spread of the injected current in the layer 5 becomes small, and gain increasing wave guidance is effectively generated.
其他摘要	目的：通过提供一对多晶层来减少注入电流在有源层中的横向扩展，条带部分留在包层的一个包层中与有源层相邻的位置，在包层之间保持有源层。组成：包层4和6由化合物半导体构成，该化合物半导体的折射率大于有源层5的折射率，并设置在有源层5的上下表面上。在其上形成SiO2薄膜3。第4层，留有条纹部分3'。此后，在层4上生长与层4相同的化合物半导体。然后，在部分3'及其上部形成单晶层9。在膜3上，在层9的两侧形成一对多晶层2.层2和层9用作包层。因此，可以使层4变薄。层2可以形成在靠近层5的位置处，厚度减少量。当注入激励电流时，电流被层2限制成条形，并在该状态下注入层5中。注入电流在层5中的扩展变小，并且有效地产生增益增加的波导。
申请日期	1982-09-21
专利号	JP1988047355B2
专利状态	失效
申请号	JP1982163193
公开（公告）号	JP1988047355B2
IPC 分类号	H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S5/22 \| H01S5/223
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83851
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	KOGYO GIJUTSUIN
推荐引用方式 GB/T 7714	KOBAYASHI KEISUKE,NAKAJIMA HISAO,WATANABE NOZOMI,et al. -. JP1988047355B2[P]. 1988-09-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988047355B2.PDF（452KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文