Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 成井 啓修; 新田 幸代; 丸谷 幸利 | |
| 1995-07-04 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1995-07-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 しきい値電流の低減化をはかり低消費電力、高出力の半導体レーザを構成することができるとともに、高信頼性を有し、光集積化を容易に行うことができるようにする【構成】 {100}結晶面を主面とする化合物半導体基板1に、〔01-1〕結晶軸方向に沿う逆メサ溝2が両端に形成され、かつ〔011〕結晶軸方向に沿うように形成されたストライプリッジ3を設け、その基板1のストライプリッジ3を有する主面上に、少なくとも第1のクラッド層11と、活性層13と、第2のクラッド層12とが形成され、少なくとも活性層13が他部と分断されて形成された半導体レーザ部がストライプリッジ3上に形成された構成とする。 |
| 其他摘要 | 用途：通过降低阈值电流构成低功耗的高输出功率半导体激光器，并促进高可靠性和光学集成。组成：在化合物半导体衬底1的两端形成沿[01-1]晶轴方向的反向台面沟槽2，其中{100}晶体表面是主表面。条纹脊3沿着[011]晶轴形成。至少第一包层11，有源层13和第二包层12形成在具有条纹脊3的基板1的主表面上。半导体激光器部件，其中至少形成有源层部分，在条纹脊3上形成与其他部分隔离的状态。 |
| 申请日期 | 1993-12-14 |
| 专利号 | JP1995170014A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993313787 |
| 公开（公告）号 | JP1995170014A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83839 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,新田 幸代,丸谷 幸利. 半導体レーザ. JP1995170014A[P]. 1995-07-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995170014A.PDF（185KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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