Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 竹内 辰也 | |
| 2000-03-31 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】埋込型半導体レーザに関し、高出力化ならびに動作温度の高温化を図ること。 【解決手段】メサ状に形成されたn型クラッド層21,22 と、前記n型クラッド層21,22 の上に形成されたストライプ状の活性層23と、n型クラッド層21,22 の両側に形成され且つp型不純物が含有されたInP よりなる第1埋込層27,29 と、第1埋込層27,29 の中に形成されて、第1埋込層27,29 よりも濃度の高いp型不純物を含むAla Inb Gac Asd Pe (0≦a,b,c,d,e≦1)混晶半導体から構成される第2埋込層28と、活性層23の側方にあって第2埋込層28の上に形成されたn型電流ブロック層30と、n型電流ブロック層30及び活性層23の上に形成されたp型クラッド層24,32 を含む。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在埋入式半导体激光器中实现工作温度下的高输出和高温。解决方案：该半导体激光器包括形成为台面的n型覆层21和22，形成为条状的有源层23，形成在n型覆层21的两侧的第一掩埋层27和29。在图22中，由包含p型杂质的InP，在第一掩埋层27和29中形成的第二掩埋层28制成并由AlaInbGacAsdPe制成（0 <= a，b，c，d，e <= 1 ）混合晶体半导体，其包含浓度高于第一埋层27和29的p型杂质，n型电流阻挡层30位于有源层23侧并形成在第二埋层上如图28所示，形成在n型电流阻挡层30和有源层23上的p型覆层24和32。 |
| 申请日期 | 1998-09-10 |
| 专利号 | JP2000091702A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998257126 |
| 公开（公告）号 | JP2000091702A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 岡本 啓三 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83825 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ. JP2000091702A[P]. 2000-03-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000091702A.PDF（194KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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