Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 冨士原 潔; 森 義弘 | |
| 1997-04-08 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 1997-04-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 高バイアス駆動時に光出力の飽和の少ない半導体レーザを実現する。 【解決手段】 n-InP基板1上形成した埋め込み型へテロ構造において、活性層の直上以外の領域にp-InGaAsPコンタクト層を形成し、さらにp-InGaAsPコンタクト層の上にp型電極を形成し、さらに金属多層膜を蒸着する。この構造により、半導体レーザをヒートシンクに取り付けた際に、活性層とはんだ材との間に熱伝導の悪いInGaAsP層や絶縁膜が存在しなくなり、放熱特性が向上して、高バイアス駆動時でも光出力飽和の少ない特性の半導体レーザが実現できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在高偏置驱动时实现光输出饱和度较低的半导体激光器。 解决方案：在n-InP衬底1上形成的掩埋异质结构中，在除有源层正上方之外的区域中形成p-InGaAsP接触层，并且在p-InGaAsP接触层上形成p型电极。并进一步沉积金属多层膜。利用这种结构，当半导体激光器附着到散热器时，在有源层和焊接材料之间不存在InGaAsP层或导热性差的绝缘膜，并且改善了热辐射特性。可以实现具有低输出饱和特性的半导体激光器。 |
| 申请日期 | 1996-07-16 |
| 专利号 | JP1997097946A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996186466 |
| 公开（公告）号 | JP1997097946A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01S5/02 | H01L21/324 | H01S5/323 | H01S5/343 | B81C1/00 | H01S5/227 | H01S5/22 | H01S5/024 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83811 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨士原 潔,森 義弘. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1997097946A[P]. 1997-04-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997097946A.PDF（247KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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