Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 竹内 辰也; 渡辺 孝幸 | |
| 2000-03-14 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 2000-03-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体レーザの製造方法に関し、素子の直列抵抗を低減し、高動作温度での特性を改善し、また、高電流注入時の特性を向上させる。 【解決手段】 ストライプ状メサ3の頂部に設けた誘電体マスクをマスクとしてストライプ状メサ3の側部を選択成長埋込層4で埋め込んだのち、p型InPクラッド層7を全面に成長させる際に、塩素化合物を添加した有機金属気相成長法により580℃以下の成長温度で成長を行う。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：使半导体激光器的串联电阻降低，并改善高温特性和高电流注入特性。解决方案：使用设置在条状台面3顶部的介电层作为掩模，在条状台面3的每一侧上提供选择性生长掩埋层4，并且生长P型InP覆层7通过有机金属气相生长法在低于580℃的所有表面上加入氯化合物。优选地，选择性生长掩埋层4的最上表面设置为高于条状台面3的顶部。 |
| 申请日期 | 1998-08-31 |
| 专利号 | JP2000077789A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998244724 |
| 公开（公告）号 | JP2000077789A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01L21/205 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 柏谷 昭司 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83747 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也,渡辺 孝幸. 半導体レーザの製造方法. JP2000077789A[P]. 2000-03-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000077789A.PDF（190KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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