Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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| 其他题名 | - |
| ISHIKAWA HIROSHI; TAKAGI NOBUYUKI; IMAI HAJIME | |
| 1988-05-12 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1988-05-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To finish liquid epitaxial growth at once to contrive to improve yield, by forming a groove from the beginning on a substrate next to apply each semiconductor layer for continuous epitaxial growth. CONSTITUTION:A groove 11a is formed on an n-InP substrate 11 next to adopt liquid epitaxial growing method for the growth of a p-InP current preventing layer 12 and an n-InP clad layer 13 inside and outside of the groove. Further, an In1-xGaxAs1-yPy active layer 14 is formed in the groove next to grow a p-InP clad layer 15. Thus, the groove 11a is perfectly burried with the surface flat. Further, a p-In1-zGazAs1-sPs contact layer 16 is grown. In this step, a series of continuous epitaxial growth are finished. The continuous epitaxial growing method at once improves the manufacturing yield. |
| 其他摘要 | 目的：一次完成液体外延生长以设法提高产量，通过在衬底上从一开始形成凹槽，然后施加每个半导体层以进行连续外延生长。组成：接下来采用液体外延生长方法在n-InP衬底11上形成凹槽11a，用于在凹槽的内部和外部生长p-InP电流防止层12和n-InP包层13。此外，在凹槽中形成In1-xGaxAs1-yPy有源层14，然后生长p-InP包层15.因此，凹槽11a完全被掩埋，表面平坦。此外，生长p-In1-zGazAs1-sPs接触层16。在该步骤中，完成一系列连续外延生长。连续外延生长方法一次提高了制造产量。 |
| 申请日期 | 1981-05-01 |
| 专利号 | JP1988022478B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1981066750 |
| 公开（公告）号 | JP1988022478B2 |
| IPC 分类号 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/227 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83737 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ISHIKAWA HIROSHI,TAKAGI NOBUYUKI,IMAI HAJIME. -. JP1988022478B2[P]. 1988-05-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1988022478B2.PDF（340KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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