Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Optical semiconductor device | |
| 其他题名 | Optical semiconductor device |
| SUZUKI, NOBUO; HIRAYAMA, YUZO; ONOMURA, MASAAKI | |
| 1993-10-12 | |
| 专利权人 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, A CORP. OF JAPAN |
| 公开日期 | 1993-10-12 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser of multiple quantum well structure includes a multiple quantum well active layer having a well layer of In.sub.x Ga.sub.1-x As (0 |
| 其他摘要 | 多量子阱结构的半导体激光器包括多量子阱有源层，其具有In.sub.x Ga1-x As（0 |
| 申请日期 | 1991-11-29 |
| 专利号 | US5253264 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US07/800250 |
| 公开（公告）号 | US5253264 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/20 | H01S5/227 | H01S5/00 | H01S5/062 | H01S5/06 | H01S5/12 | H01S5/22 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | OBLON,SPIVAK,MCCLELLAND,MAIER & NEUSTADT |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83734 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, A CORP. OF JAPAN |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUZUKI, NOBUO,HIRAYAMA, YUZO,ONOMURA, MASAAKI. Optical semiconductor device. US5253264[P]. 1993-10-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US5253264.PDF（801KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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