Semiconductor light emitting element

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	Semiconductor light emitting element
其他题名	Semiconductor light emitting element
	ONAKA SEIJI; SHIBATA ATSUSHI
	1987-01-31
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1987-01-31
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To make current constriction compatible with heat dissipation by effecting current constriction using amorphous semiconductor layer of high resistance. CONSTITUTION:A semiconductor laser is composed of an N type InP substrate 11, an N-type InP buffer layer 12, an InGaAsP active layer 13, a P-type InP clad layer 14, an amorphous Si layer 15. a Ti barrier layer 16, an Au/Zn electrode 17, and an Au/Sn electrode 18. For example, when the area of the Au/Zn electrode 17 is 20.0mum and the thickness of the amorphous Si layer 15 is 0.5mum, a resistance will be 10OMEGA and a complete current constriction can be effected. Also, whereas the heat conductivity of InP is 0.7W/cm.deg, that of the amorphous Si layer 15 is as high as 7W/cm.deg and a good heat dissipation effect can be obtained.
其他摘要	目的：通过使用高电阻的非晶半导体层实现电流收缩，使电流收缩与散热兼容。组成：半导体激光器由N +型InP衬底11，N型InP缓冲层12，InGaAsP有源层13，P型InP覆层14，非晶Si层15和Ti组成。阻挡层16，Au / Zn电极17和Au / Sn电极18.例如，当Au / Zn电极17的面积为20.0mum 2并且非晶Si层15的厚度为0.5μm时电阻为1011Ω，可以实现完全的电流收缩。而且，InP的导热率为0.7W / cm.deg，而非晶Si层15的导热率高达7W / cm.deg，并且可以获得良好的散热效果。
申请日期	1985-07-23
专利号	JP1987023184A
专利状态	失效
申请号	JP1985162386
公开（公告）号	JP1987023184A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83726
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	ONAKA SEIJI,SHIBATA ATSUSHI. Semiconductor light emitting element. JP1987023184A[P]. 1987-01-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987023184A.PDF（297KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文