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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	HIGUCHI HIDEYO; NAMISAKI HIROBUMI; OOMURA ETSUJI; IKEDA KENJI; SAKAKIBARA YASUSHI
	1993-02-08
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1993-02-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To make parasitic capacity small, by removing the specified part of a reverse-bias P-N junction other than an active region until the main surface of a substrate is reached by etching and the like, forming a mesa part, and providing a dielectric insulating film on the mesa part. CONSTITUTION:On a substrate 101, an N-InP layer 102, an active region 103 and a P-InP layer 104 are sequentially formed by using a liquid-phase growing method and the like. Thereafter a mesa is formed by using an ordinary photolithgraphy method, a chemical etching method and the like. Then current narrowing parts 105 and 106 comprising reverse-bias P-N junction parts are formed so as to bury the mesa part. Thereafter the narrowing layers other than the surrounding areas of the active parts 102-104 are removed by an etching method and the like. The entire device is coated by a dielectric insulating film 2. A window is formed on the mesa part, and an electrode 107 is formed in this window. Since the area of the current narrowing parts become small in comparison with the conventional device, the parasitic capacity at this part can be reduced.
其他摘要	目的：通过去除有源区以外的反偏压PN结的指定部分，直到通过蚀刻等到达基板的主表面，形成台面部分，并提供介电绝缘，使寄生电容小。电影在台面部分。组成：在基板101上，通过使用液相生长方法等顺序形成N-InP层102，有源区103和P-InP层104。之后，通过使用普通的光刻法，化学蚀刻法等形成台面。然后形成包括反向偏置P-N结部分的电流窄化部分105和106，以掩埋台面部分。之后，通过蚀刻方法等去除除有源部分102-104的周围区域之外的窄化层。整个器件用介电绝缘膜2涂覆。在台面部分上形成窗口，并在该窗口中形成电极107。由于与传统器件相比，电流窄化部分的面积变小，所以可以减小该部分的寄生电容。
申请日期	1984-02-13
专利号	JP1993009951B2
专利状态	失效
申请号	JP1984026458
公开（公告）号	JP1993009951B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/227 \| H01S5/042 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83687
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	HIGUCHI HIDEYO,NAMISAKI HIROBUMI,OOMURA ETSUJI,et al. -. JP1993009951B2[P]. 1993-02-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993009951B2.PDF（312KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文