Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| IKEDO, NORIO; KAWAGUCHI, MASAO; YURI, MASAAKI | |
| 2011-08-16 | |
| 专利权人 | PANASONIC CORPORATION |
| 公开日期 | 2011-08-16 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser device includes a multilayer structure made of group III nitride semiconductors formed on a substrate. The multilayer structure includes a MQW active layer, and also includes a step region selectively formed in an upper portion thereof. In another upper portion of the multilayer structure, a ridge stripe portion including a waveguide, which extends in parallel to a principal surface of the multilayer structure, is formed. In the vicinity of the step region, a first region, in which the MQW active layer has a bandgap energy of Eg1, is formed, and a second region, which is adjacent to the first region and in which the MQW active layer has a bandgap energy of Eg2 (Eg2 |
| 其他摘要 | 半导体激光装置包括由在基板上形成的III族氮化物半导体制成的多层结构。多层结构包括MQW有源层，并且还包括选择性地形成在其上部的台阶区域。在多层结构的另一上部，形成包括波导的脊条部分，该波导平行于多层结构的主表面延伸。在台阶区域附近，形成第一区域和第二区域，在第一区域中MQW有源层具有带隙能量Eg1，第二区域与第一区域相邻并且其中MQW有源层具有带隙形成Eg2的能量（Eg2 |
| 申请日期 | 2009-07-13 |
| 专利号 | US8000365 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US12/501778 |
| 公开（公告）号 | US8000365 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | MCDERMOTT WILL & EMERY LLP |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83641 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | IKEDO, NORIO,KAWAGUCHI, MASAO,YURI, MASAAKI. Semiconductor laser device. US8000365[P]. 2011-08-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US8000365.PDF（373KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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