Single filament semiconductor laser with large emitting area

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	Single filament semiconductor laser with large emitting area
其他题名	Single filament semiconductor laser with large emitting area
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	1983-08-10
专利权人	RCA CORP
公开日期	1983-08-10
授权国家	英国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor body 12 of a Group III-V compound or alloy includes a substrate 18 of one conductivity type with a pair of spaced, substantially parallel, dove-tail shaped grooves 24 in a surface 20 thereof. Over the surface of the substrate and the grooves are, in sequence, a buffer epitaxial layer 26 of the one conductivity type, a first confinement epitaxial layer 28 of the one conductivity type, a guide epitaxial layer 30 of the one conductivity type, an active epitaxial layer 32 which is the active recombination layer, a second confinement epitaxial layer 34 of the opposite conductivity type and a cap epitaxial layer 36 of the opposite conductivity type. Heterojunctions are formed between the first confinement layer 28 and the guide layer 30, and between the active layer 32 and second confinement layer 34.; The material of the active layer has an index of refraction larger than that of the materials of the first and second confinement layers, the material of the guide layer has an index of refraction less than that of the active layer but greater than that of each of the confinement layers. The guide layer and active layer each have a region of uniform thickness e.g. 32a, directly over the space 20a between the grooves 24. The resulting laser provides a stable single optical mode filament of light of enhanced depth.
其他摘要	III-V族化合物或合金的半导体本体12包括一种导电类型的基板18，在其表面20中具有一对间隔开的，基本平行的燕尾形槽24。在衬底和凹槽的表面上依次是一种导电类型的缓冲外延层26，一种导电类型的第一限制外延层28，一种导电类型的导电外延层30，一种有源作为有源复合层的外延层32，相反导电类型的第二限制外延层34和相反导电类型的帽外延层36。异质结形成在第一限制层28和引导层30之间，以及有源层32和第二限制层34之间。有源层的材料的折射率大于第一和第二限制层的材料的折射率，引导层的材料的折射率小于有源层的折射率但大于每个的折射率。限制层。引导层和有源层各自具有均匀厚度的区域，例如，如图32a所示，直接在凹槽24之间的空间20a上方。所得到的激光器提供了增强深度的光的稳定单光学模式灯丝。
申请日期	1980-04-30
专利号	GB2062949B
专利状态	失效
申请号	GB1980014175
公开（公告）号	GB2062949B
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01L21/208 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83613
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RCA CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	-. Single filament semiconductor laser with large emitting area. GB2062949B[P]. 1983-08-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
GB2062949B.PDF（1321KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文