半導体発光素子

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	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	奥山浩之; 喜嶋悟
	1999-06-02
专利权人	SONY CORP
公开日期	1999-06-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】動作特性および寿命特性に優れ、高い信頼性を実現することができるII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSeを光導波層、ZnMgSSeをクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、p型ZnMgSSeクラッド層9上に、ストライプ形状を有する部分とその両側の溝10aとを有するp型ZnSSeキャップ層10を設ける。溝10aの先端部はp型ZnMgSSeクラッド層9の厚さ方向の途中の深さに達する。p型ZnSSeキャップ層10のストライプ形状を有する部分の上にp型ZnSeコンタクト層11、p型ZnSe/ZnTeMQW層12およびp型ZnTeコンタクト層13を設ける。溝10aの部分におけるp型ZnMgSSeクラッド層9および溝10aの外側の部分におけるp型ZnSSeキャップ層10の上に絶縁層14を設け、電流狭窄構造を形成する。
其他摘要	要解决的问题：提供具有优异操作特性和寿命特性的半导体发光元件，可以高度可靠并且使用II-VI化学半导体材料构成。解决方案：在SCH结构的半导体激光器中，其中ZnCdSe层用作有源层，ZnSSe层用作光波导层，ZnMgSSe层用作包层，p型ZnSSe帽在p型ZnMgSSe覆层9上设置层10，其具有条形部分并且在部分的两侧具有凹槽10a。凹槽10a的尖端部分到达中间的深度。在具有条纹形式的层10的部分上提供p型ZnSe接触层11，p型ZnSe / ZnTEMQW层12和p型ZnTe接触层13。绝缘层图14中所示的部分分别设置在层10的位于凹槽10a的部分下方的部分和层10的与凹槽10a的外部部分相邻的部分处，并且形成电流限制结构。
申请日期	1997-11-14
专利号	JP1999150332A
专利状态	失效
申请号	JP1997314106
公开（公告）号	JP1999150332A
IPC 分类号	D03D15/00 \| D01F6/62 \| D04B21/00 \| D02J1/22 \| H01L33/06 \| D03D27/00 \| D04B1/16 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83386
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	奥山浩之,喜嶋悟. 半導体発光素子. JP1999150332A[P]. 1999-06-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999150332A.PDF（224KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文