Vertical cavity apparatus with tunnel junction

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	Vertical cavity apparatus with tunnel junction
其他题名	Vertical cavity apparatus with tunnel junction
	BOUCART, JULIEN; CHANG-HASNAIN, CONSTANCE; JANSEN, MICHAEL; NABIEV, RASHIT; YUEN, WUPEN
	2002-12-10
专利权人	BANDWIDTH 9, INC.
公开日期	2002-12-10
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A vertical cavity apparatus includes first and second mirrors, a substrate and at least first and second active regions positioned between the first and second mirrors. A first etched layer is positioned between the first and second mirrors. A first tunnel junction is positioned between the first and second mirrors.
其他摘要	一种垂直腔体装置，包括第一和第二镜子，基板以及位于第一和第二镜子之间的至少第一和第二有源区域。第一蚀刻层位于第一和第二反射镜之间。第一隧道结位于第一和第二反射镜之间。
申请日期	2000-06-23
专利号	US6493372
专利状态	失效
申请号	US09/602454
公开（公告）号	US6493372
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/183 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S5/32 \| H01S5/14 \| H01S5/20 \| H01L33/10
专利代理人	-
代理机构	HELLER EHRMAN WHITE & MCAULIFFE DAVIS, PAUL
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83327
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	BANDWIDTH 9, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	BOUCART, JULIEN,CHANG-HASNAIN, CONSTANCE,JANSEN, MICHAEL,et al. Vertical cavity apparatus with tunnel junction. US6493372[P]. 2002-12-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6493372.PDF（377KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文