Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor light-emitting device | |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting device |
| YOKOTSUKA, TATSUO; TAKAMORI, AKIRA | |
| 1992-06-23 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 公开日期 | 1992-06-23 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor light-emitting device comprising a substrate formed of GaAs, a cladding layer formed of (AlxGa1-x)yIn1-yP and an active layer formed of GayIn1-yP (0.5 |
| 其他摘要 | 一种半导体发光器件，包括由GaAs形成的衬底，由（AlxGa1-x）yIn1-yP形成的包层和由GayIn1-yP（0.5 |
| 申请日期 | 1991-03-12 |
| 专利号 | US5124995 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US07/667989 |
| 公开（公告）号 | US5124995 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/32 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | LOWE,PRICE,LEBLANC & BECKER |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83316 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YOKOTSUKA, TATSUO,TAKAMORI, AKIRA. Semiconductor light-emitting device. US5124995[P]. 1992-06-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US5124995.PDF（758KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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