Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 |
| 近藤 康洋; 山本 ▲ミツ▼夫; 中尾 正史 | |
| 1995-06-23 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1995-06-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 p形半導体基板を用いた埋め込み構造半導体レーザを簡単な作製工程で作製する。 【構成】 p形(100)InP基板1上にこのInP基板1とのなす角が54度未満の側面を有する〈011〉方向のメサストライプ構造を形成した後、有機金属気相成長法によりp形InPバッファ層2を成長してリッジ構造を形成し、このInP基板1の全面に有機金属気相成長法によりSeを8×1018cm-3以上の範囲でドーピングしてn形半導体電流ブロック層3,p形半導体クラッド層4,活性層5,n形半導体クラッド層6およびp形半導体キャップ層7を順次堆積形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过简单的工艺制造使用p型半导体衬底的掩埋结构半导体激光器。组成：在方向的台面条纹结构后，侧面的角度小于54度。在该基板1上形成p型（100）InP衬底1，通过有机金属气相生长法生长p-InP缓冲层2，以形成脊结构。此外，该InP衬底1的整个面通过有机金属气相生长方法在8×10 18 cm -3或更大的范围内掺杂Se，从而形成n型半导体电流阻挡层3，p一个接一个地沉积半导体覆层4，有源层5，n型半导体覆层6和p型半导体覆盖层7。 |
| 申请日期 | 1993-12-09 |
| 专利号 | JP1995162091A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993340381 |
| 公开（公告）号 | JP1995162091A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山川 政樹 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83236 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋,山本 ▲ミツ▼夫,中尾 正史. 埋め込み構造半導体レーザの製造方法. JP1995162091A[P]. 1995-06-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995162091A.PDF（169KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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