Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 西川 幸江; 大場 康夫; 国分 義弘; 石川 正行 | |
| 1997-08-15 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1997-12-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To reduce the threshold value of a laser oscillation by setting the impurity concentration of an active layer of a double hetero junction made of specific compound on a GaAs substrate to 5X10cm or less. CONSTITUTION:A double hetero junction made of InxGayAl1-x-y (0cm or less. A P-type clad layer 5 contains Zn as impurity, and carrier concentration is set to 1/2 or less of the maximum carrier concentration obtained by doping Zn. Thus, a laser oscillation threshold value can be reduced. |
| 其他摘要 | 用途：通过将GaAs衬底上由特定化合物制成的双异质结的有源层的杂质浓度设定为5×1016cm-3或更低来降低激光振荡的阈值。组成：提供由InxGayAl1-xy（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1）制成的双异质结，在GaAs衬底1上形成基本上晶格匹配，以便有源层的杂质浓度结的4个为5×1016cm-3或更小。 P型包层5含有Zn作为杂质，载流子浓度设定为通过掺杂Zn得到的最大载流子浓度的1/2或更小。因此，可以减小激光振荡阈值。 |
| 申请日期 | 1988-02-10 |
| 专利号 | JP2685778B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988027668 |
| 公开（公告）号 | JP2685778B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 大胡 典夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83143 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 幸江,大場 康夫,国分 義弘,等. 半導体レーザ装置. JP2685778B2[P]. 1997-08-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2685778B2.PDF（261KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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