Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser module | |
| 其他题名 | Semiconductor laser module |
| MUGINO, AKIRA; KOYANAGI, SATOSHI; SHIMIZU, TAKEO | |
| 1999-07-29 | |
| 专利权人 | THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. |
| 公开日期 | 1999-07-29 |
| 授权国家 | 世界知识产权组织 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | A semiconductor laser module (1) comprising a laser element (2) having an emission surface (2a) of excitation radiation and a reflection surface (2b) opposed to the emission surface, and an optical feedback medium (3) in which the major part of optical power from the emission surface (2a) is returned to the semiconductor laser element (2) by coupling means (4) while a part of the power from the emission surface is output. The emission surface (2a) of the semiconductor laser element (2) is coated with a low-reflection multilayer (2c) with a reflectivity of 10?-4¿ % to 10 %. The low-reflection multilayer (2c) has a reflection spectrum characteristic curve that takes a maximum at the center frequency and minimums near both sides. |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器模块（1），包括：激光元件（2），具有激发辐射的发射表面（2a）和与发射表面相对的反射表面（2b）;以及光学反馈介质（3），其中主要部分来自发射表面（2a）的光功率通过耦合装置（4）返回到半导体激光器元件（2），同时输出来自发射表面的一部分功率。半导体激光元件（2）的发射表面（2a）涂有低反射多层膜（2c），其反射率为10 -4％至10％。低反射多层（2c）具有反射光谱特性曲线，其在中心频率处取最大值并且在两侧附近具有最小值。 |
| 申请日期 | 1999-01-25 |
| 专利号 | WO1999038235A1 |
| 专利状态 | 未确认 |
| 申请号 | PCT/JP1999/000267 |
| 公开（公告）号 | WO1999038235A1 |
| IPC 分类号 | G02B6/42 | H01S5/028 | H01S5/14 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | NAGATO, KANJI |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83130 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MUGINO, AKIRA,KOYANAGI, SATOSHI,SHIMIZU, TAKEO. Semiconductor laser module. WO1999038235A1[P]. 1999-07-29. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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