Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| KUBOTA MASAYUKI; TAKAMIYA SABURO | |
| 1987-08-31 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1987-08-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To multiply an oscillating longitudinal mode without reducing the reflectivity of a laser light emitting end by precisely controlling the thickness of a clad layer to increase an internal loss. CONSTITUTION:The forbidden band width of a P-type GaAs substrate 1 or an N-type GaAs gap layer 7 is formed smaller than that of a P-type Ga1-yAlyAs layer 5 of an active layer, and the thickness of a P-type Ga1-xAlxAs clad layer 5 or an N-type Ga1-xAlxAs clad layer 10 is controlled to 1mum or less. Thus, part of a light extracted from the active layer at laser operation time is absorbed to the substrate 1 or the layer 7 to increase an internal loss. As a result, an oscillating longitudinal mode is multiplexed without reducing the reflectivity of the laser light emitting end face. |
| 其他摘要 | 目的：通过精确控制包层厚度来增加内部损耗，从而在不降低激光发射端反射率的情况下增加振荡纵模。组成：P型GaAs衬底1或N型GaAs间隙层7的禁带宽度小于有源层的P型Ga1-yAlyAs层5的禁带宽度和P-的厚度。将Ga1-xAlxAs包覆层5或N型Ga1-xAlxAs包覆层10控制为1μm或更小。因此，在激光器操作时从有源层提取的光的一部分被吸收到衬底1或层7，以增加内部损耗。结果，在不降低激光发射端面的反射率的情况下多路复用振荡纵向模式。 |
| 申请日期 | 1986-02-24 |
| 专利号 | JP1987196889A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1986039853 |
| 公开（公告）号 | JP1987196889A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83070 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KUBOTA MASAYUKI,TAKAMIYA SABURO. Semiconductor laser. JP1987196889A[P]. 1987-08-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1987196889A.PDF（331KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论