Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser | |
其他题名 | Semiconductor laser |
KUBOTA MASAYUKI; TAKAMIYA SABURO | |
1987-08-31 | |
专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
公开日期 | 1987-08-31 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To multiply an oscillating longitudinal mode without reducing the reflectivity of a laser light emitting end by precisely controlling the thickness of a clad layer to increase an internal loss. CONSTITUTION:The forbidden band width of a P-type GaAs substrate 1 or an N-type GaAs gap layer 7 is formed smaller than that of a P-type Ga1-yAlyAs layer 5 of an active layer, and the thickness of a P-type Ga1-xAlxAs clad layer 5 or an N-type Ga1-xAlxAs clad layer 10 is controlled to 1mum or less. Thus, part of a light extracted from the active layer at laser operation time is absorbed to the substrate 1 or the layer 7 to increase an internal loss. As a result, an oscillating longitudinal mode is multiplexed without reducing the reflectivity of the laser light emitting end face. |
其他摘要 | 目的:通过精确控制包层厚度来增加内部损耗,从而在不降低激光发射端反射率的情况下增加振荡纵模。组成:P型GaAs衬底1或N型GaAs间隙层7的禁带宽度小于有源层的P型Ga1-yAlyAs层5的禁带宽度和P-的厚度。将Ga1-xAlxAs包覆层5或N型Ga1-xAlxAs包覆层10控制为1μm或更小。因此,在激光器操作时从有源层提取的光的一部分被吸收到衬底1或层7,以增加内部损耗。结果,在不降低激光发射端面的反射率的情况下多路复用振荡纵向模式。 |
申请日期 | 1986-02-24 |
专利号 | JP1987196889A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1986039853 |
公开(公告)号 | JP1987196889A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83070 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
推荐引用方式 GB/T 7714 | KUBOTA MASAYUKI,TAKAMIYA SABURO. Semiconductor laser. JP1987196889A[P]. 1987-08-31. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1987196889A.PDF(331KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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