Optical semiconductor element

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	Optical semiconductor element
其他题名	Optical semiconductor element
	SODA HARUHISA
	1991-12-16
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1991-12-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To perform integration of modulators allowing superhigh-frequency modulation with low voltage by constituting an optical absorbing amount of MQW of wavelength having exciton wavelength and an optical waveguide layer of MQW of wavelength, whose exciton wavelength is longer than the above. CONSTITUTION:For instance, a GaInAs waveguide layer 3 of composition 3mum is provided on an InP substrate 1, and a grating 2 is formed in the laser part at the interface both of them. In a modulator part, an MQW layer 23 consisting of a GaInAs layer having the thickness 70Angstrom is provided, for instance, on the ten-layered waveguide layer 3. Each layer generates a level corresponding to exciton wavelength of 53mum. And, the thickness of a non-doped InP host layer 24 between the respective MQW layers is made 100Angstrom . On the other hand, in the laser part, the GaInAs layer consisting of MQW 23' shall have its constitution the same with the MQW layer 23 of the modulator part and the number of layers shall be equally ten-layered while the thickness of each layer shall be thickened to 120Angstrom . Thereby, the exciton wavelength of each layer becomes 55m. A p-InP clad layer 5, a cap layer 12 of p-GaInAsP and a positive electrode 13 are provided on the upper part of both MQW construction.
其他摘要	目的：通过构成具有激子波长的波长的MQW的光学吸收量和波长为MQW的光波导层（其激子波长比上述长），进行允许低电压超高频调制的调制器的集成。组成：例如，在InP衬底1上提供组成为3μm的GaInAs波导层3，并且在激光器部件的两个界面处形成光栅2。在调制器部分中，例如在十层波导层3上提供由厚度为70埃的GaInAs层组成的MQW层23.每层产生对应于53μm的激子波长的电平。并且，各个MQW层之间的未掺杂InP主体层24的厚度为100埃。另一方面，在激光器部件中，由MQW 23'组成的GaInAs层的结构应与调制器部件的MQW层23相同，并且层数应为10层，而每层的厚度为应加厚至120埃。由此，各层的激子波长为55μm。在两个MQW结构的上部设置p-InP包层5，p + -GaInAsP的盖层12和正电极13。
申请日期	1990-03-30
专利号	JP1991284891A
专利状态	失效
申请号	JP1990086231
公开（公告）号	JP1991284891A
IPC 分类号	G02F1/025 \| H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83018
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SODA HARUHISA. Optical semiconductor element. JP1991284891A[P]. 1991-12-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991284891A.PDF（312KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文