Semiconductor light-emitting device and production method thereof

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	Semiconductor light-emitting device and production method thereof
其他题名	Semiconductor light-emitting device and production method thereof
	KIDOGUCHI, ISAO; ADACHI, HIDETO; ISHIBASHI, AKIHIKO; OHNAKA, KIYOSHI; BAN, YUZABURO; KUBO, MINORU
	1998-05-12
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
公开日期	1998-05-12
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	PCT No. PCT/JP95/01447 Sec. 371 Date Mar. 21, 1996 Sec. 102(e) Date Mar. 21, 1996 PCT Filed Jul. 20, 1995 PCT Pub. No. WO96/03776 PCT Pub. Date Feb. 8, 1996A semiconductor light-emitting device with a double hetero structure, including: an active layer made of Ga1-xInxN (0
其他摘要	PCT No.PCT / JP95 / 01447 Sec。371日期1996年3月21日102（e）日期1996年3月21日PCT提交1995年7月20日PCT Pub。No. WO96 / 03776 PCT Pub。日期：1996年2月8日具有双异质结构的半导体发光器件，包括：由掺杂有p型杂质的Ga1-xInxN（0
申请日期	1995-07-20
专利号	US5751013
专利状态	失效
申请号	US08/619483
公开（公告）号	US5751013
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01S5/30 \| H01S5/327 \| H01S5/042 \| H01S5/022 \| H01S5/20 \| H01L33/02 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L33/36 \| H01L33/64 \| H01S5/02 \| H01S5/024 \| H01S5/16 \| H01S5/223 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	RATNER & PRESTIA
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83015
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KIDOGUCHI, ISAO,ADACHI, HIDETO,ISHIBASHI, AKIHIKO,et al. Semiconductor light-emitting device and production method thereof. US5751013[P]. 1998-05-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5751013.PDF（594KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文