Semicondutor laser device

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	Semicondutor laser device
其他题名	Semicondutor laser device
	SATO SHIRO; ONODERA NORIAKI
	1987-07-14
专利权人	RICOH CO LTD
公开日期	1987-07-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce threshold currents easily, and to obtain a stable mode by forming a bent active layer, shaping current constriction structure by the active layer and a diffusion region and demarcating refractive index waveguide structure on the basis of index difference in the transverse direction. CONSTITUTION:A mesa-striped projection 1a having height of 1-2 micron and width of 1-4 micron is shaped to the upper surface of an N-type GaAs substrate 1 through photolithography and etching. An N-type AlGaAs first optical confinement layer 2, a GaAs active layer 3, a P-type AlGaAs second optical confinement layer 4 and an N-type GaAs protective layer 10 are laminated in succession through an organic metal vapor-phase growth method. An N-type GaAs layer 5 is formed on the protective layer 10 through a liquid-phase epitaxial growth method, and a P-type GaAs electrode layer 6 is laminated and shaped on the layer 5 so that an upper surface thereof is flattened substantially. Zn is diffused near the top of the projecting section at approximately 750 deg.C from an upper section, the diffusion front of Zn is faced oppositely and positioned to the projection 1a in the projecting section of the layer 4, and electrodes 7 and 8 are applied to upper and lower sections.
其他摘要	目的：为了容易地降低阈值电流，并通过形成弯曲的有源层来获得稳定的模式，通过有源层和扩散区域来形成电流收缩结构，并且基于横向上的折射率差来划分折射率波导结构。组成：高度为1-2微米，宽度为1-4微米的台面条状凸起1a通过光刻和蚀刻成形为N型GaAs衬底1的上表面。通过有机金属气相生长方法依次层叠N型AlGaAs第一光学限制层2，GaAs活性层3，P型AlGaAs第二光学限制层4和N型GaAs保护层10。通过液相外延生长方法在保护层10上形成N型GaAs层5，并且在层5上层叠并成形P型GaAs电极层6，使得其上表面基本上平坦化。 Zn在突出部分的顶部附近从上部扩散到大约750℃，Zn的扩散前沿相对地面对并且定位在层4的突出部分中的突起1a上，并且电极7和8是应用于上部和下部。
申请日期	1985-12-30
专利号	JP1987158378A
专利状态	失效
申请号	JP1985298352
公开（公告）号	JP1987158378A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82989
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RICOH CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SATO SHIRO,ONODERA NORIAKI. Semicondutor laser device. JP1987158378A[P]. 1987-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987158378A.PDF（439KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文