Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor optical integrated device | |
其他题名 | Semiconductor optical integrated device |
ONODERA NORIAKI; SATO SHIRO | |
1987-07-14 | |
专利权人 | RICOH CO LTD |
公开日期 | 1987-07-14 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor optical integrated device, which is manufactured simply and has excellent performance and solid structure, by integrally forming a light-emitting section and a waveguide section on the same substrate, separated mutually at a regular interval. CONSTITUTION:A projection or a stepped section 10a is shaped onto the surface of an N-type GaAs substrate 10 through a photolithographic technique. An N-type Al0.4Ga0.6As clad layer 11, a GaAs active layer 12, a P type Al0.4Ga0.6As clad layer 13, an N-type Al0.1Ga0.9As waveguide layer 14, an N type Al0.4Ga0.6 As clad layer 15 and an N-type GaAs cap layer 16 are grown in succession on the substrate 10, to which the band-shaped projection or the stepped section 10a is formed, through an epitaxial growth method. Zn is diffused through the photolithographic technique to shape a diffusion region 19, and a resonator surface 21a is formed through etching. Lastly, a P-type ohmic electrode 17 and an N-type ohmic electrode 18 are formed. |
其他摘要 | 目的:通过在同一基板上整体形成发光部分和波导部分,以规则的间隔相互分离,获得简单制造并具有优异性能和坚固结构的半导体光学集成器件。组成:投影或阶梯部分10a通过光刻技术成形在N型GaAs基板10的表面上。 N型Al0.4Ga0.6As包层11,GaAs活性层12,P +型Al0.4Ga0.6As包层13,N型Al0.1Ga0.9As波导层14,N Al0.4Ga0.6型包层15和N型GaAs盖层16通过外延生长方法依次生长在形成有带状突起或阶梯部分10a的基板10上。通过光刻技术扩散Zn以形成扩散区域19,并且通过蚀刻形成谐振器表面21a。最后,形成P型欧姆电极17和N型欧姆电极18。 |
申请日期 | 1985-12-30 |
专利号 | JP1987158380A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1985298354 |
公开(公告)号 | JP1987158380A |
IPC 分类号 | G02B6/122 | G02B6/12 | G02F1/025 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82976 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | RICOH CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ONODERA NORIAKI,SATO SHIRO. Semiconductor optical integrated device. JP1987158380A[P]. 1987-07-14. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1987158380A.PDF(507KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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