Semiconductor optical integrated device

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	Semiconductor optical integrated device
其他题名	Semiconductor optical integrated device
	ONODERA NORIAKI; SATO SHIRO
	1987-07-14
专利权人	RICOH CO LTD
公开日期	1987-07-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor optical integrated device, which is manufactured simply and has excellent performance and solid structure, by integrally forming a light-emitting section and a waveguide section on the same substrate, separated mutually at a regular interval. CONSTITUTION:A projection or a stepped section 10a is shaped onto the surface of an N-type GaAs substrate 10 through a photolithographic technique. An N-type Al0.4Ga0.6As clad layer 11, a GaAs active layer 12, a P type Al0.4Ga0.6As clad layer 13, an N-type Al0.1Ga0.9As waveguide layer 14, an N type Al0.4Ga0.6 As clad layer 15 and an N-type GaAs cap layer 16 are grown in succession on the substrate 10, to which the band-shaped projection or the stepped section 10a is formed, through an epitaxial growth method. Zn is diffused through the photolithographic technique to shape a diffusion region 19, and a resonator surface 21a is formed through etching. Lastly, a P-type ohmic electrode 17 and an N-type ohmic electrode 18 are formed.
其他摘要	目的：通过在同一基板上整体形成发光部分和波导部分，以规则的间隔相互分离，获得简单制造并具有优异性能和坚固结构的半导体光学集成器件。组成：投影或阶梯部分10a通过光刻技术成形在N型GaAs基板10的表面上。 N型Al0.4Ga0.6As包层11，GaAs活性层12，P +型Al0.4Ga0.6As包层13，N型Al0.1Ga0.9As波导层14，N Al0.4Ga0.6型包层15和N型GaAs盖层16通过外延生长方法依次生长在形成有带状突起或阶梯部分10a的基板10上。通过光刻技术扩散Zn以形成扩散区域19，并且通过蚀刻形成谐振器表面21a。最后，形成P型欧姆电极17和N型欧姆电极18。
申请日期	1985-12-30
专利号	JP1987158380A
专利状态	失效
申请号	JP1985298354
公开（公告）号	JP1987158380A
IPC 分类号	G02B6/122 \| G02B6/12 \| G02F1/025 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82976
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RICOH CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	ONODERA NORIAKI,SATO SHIRO. Semiconductor optical integrated device. JP1987158380A[P]. 1987-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987158380A.PDF（507KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文