Method for fabricating an optical semiconductor device

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	Method for fabricating an optical semiconductor device
其他题名	Method for fabricating an optical semiconductor device
	SASAKI, TATSUYA; MITO, IKUO; KATOH, TOMOAKI
	1993-10-05
专利权人	NEC CORPORATION
公开日期	1993-10-05
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for fabricating an optical semiconductor device includes the steps of forming at least two stripes (21) of dielectric parallel to each other with a predetermined interval on a semiconductor substrate (1), growing a crystal selectively between the two stripes, and forming a multi-layer structure (2,3,4) which is required to have a width determined by the crystal grown between the two stripes. In such a method, the width of the multi-layer structure including an active layer (3) or a waveguide is controlled precisely, because there is no step of etching a semiconductor layer, so that the characteristics of the device may improve and the yield may increase.
其他摘要	制造光学半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底（1）上以预定间隔形成至少两个彼此平行的电介质条带（21），在两个条带之间选择性地生长晶体，并形成多层结构（2,3,4）需要具有由在两个条纹之间生长的晶体确定的宽度。在这种方法中，由于没有蚀刻半导体层的步骤，所以可以精确地控制包括有源层（3）或波导的多层结构的宽度，从而可以改善器件的特性并提高产量可能会增加。
申请日期	1991-08-26
专利号	US5250462
专利状态	失效
申请号	US07/750172
公开（公告）号	US5250462
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/042 \| H01S5/026 \| H01S3/105 \| H01S5/227 \| H01S5/00 \| H01S3/1055 \| H01S5/343 \| H01S5/0625 \| H01S5/20 \| H01S5/16 \| H01S5/12 \| H01L21/20
专利代理人	-
代理机构	SUGHRUE,MION,ZINN,MACPEAK & SEAS
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82970
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SASAKI, TATSUYA,MITO, IKUO,KATOH, TOMOAKI. Method for fabricating an optical semiconductor device. US5250462[P]. 1993-10-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5250462.PDF（467KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文