Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Method for fabricating an optical semiconductor device | |
其他题名 | Method for fabricating an optical semiconductor device |
SASAKI, TATSUYA; MITO, IKUO; KATOH, TOMOAKI | |
1993-10-05 | |
专利权人 | NEC CORPORATION |
公开日期 | 1993-10-05 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A method for fabricating an optical semiconductor device includes the steps of forming at least two stripes (21) of dielectric parallel to each other with a predetermined interval on a semiconductor substrate (1), growing a crystal selectively between the two stripes, and forming a multi-layer structure (2,3,4) which is required to have a width determined by the crystal grown between the two stripes. In such a method, the width of the multi-layer structure including an active layer (3) or a waveguide is controlled precisely, because there is no step of etching a semiconductor layer, so that the characteristics of the device may improve and the yield may increase. |
其他摘要 | 制造光学半导体器件的方法包括以下步骤:在半导体衬底(1)上以预定间隔形成至少两个彼此平行的电介质条带(21),在两个条带之间选择性地生长晶体,并形成多层结构(2,3,4)需要具有由在两个条纹之间生长的晶体确定的宽度。在这种方法中,由于没有蚀刻半导体层的步骤,所以可以精确地控制包括有源层(3)或波导的多层结构的宽度,从而可以改善器件的特性并提高产量可能会增加。 |
申请日期 | 1991-08-26 |
专利号 | US5250462 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US07/750172 |
公开(公告)号 | US5250462 |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/042 | H01S5/026 | H01S3/105 | H01S5/227 | H01S5/00 | H01S3/1055 | H01S5/343 | H01S5/0625 | H01S5/20 | H01S5/16 | H01S5/12 | H01L21/20 |
专利代理人 | - |
代理机构 | SUGHRUE,MION,ZINN,MACPEAK & SEAS |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82970 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NEC CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SASAKI, TATSUYA,MITO, IKUO,KATOH, TOMOAKI. Method for fabricating an optical semiconductor device. US5250462[P]. 1993-10-05. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US5250462.PDF(467KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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