Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	UENO SHINSUKE
	1987-10-08
专利权人	NEC CORP
公开日期	1987-10-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To oscillate a large light output in low threshold current, high efficiency oscillation and stable basic lateral mode by forming a layer structure comprising first, second clad layers interposed at both sides of an active layer, sequentially laminated third, fourth clad layers, a current block layer, a fifth clad layer so that the fifth layer is a current block layer to contact with the third layer through the groove of the fourth layer and specifying the thickness of the specific layer and the refractive indexes of the respective layers. CONSTITUTION:An n-type Al0.45Ga0.55EAs first clad layer 11, an undoped Al0.15 Ga0.85As active layer 12, a P-type Al0.45Ga0.55As second clad layer 13, a P-type Al0.36Ga0.64As third clad layer 14, an n-type Al0.5Ga0.5As fourth clad layer 15, and an n-type GaAs block layer 16 are sequentially grown by an MOCVD method on an n-type GaAs substrate 10. Then, the layers 16, 15 are etched to form striped grooves and to expose the layer 14. Then, a P-type Al0.4Ga0.5As fifth clad layer 17 and a P-type GaAs cap layer 18 are sequentially grown. Then, the thicknesses d2, d3 of the layers 13, 14 and the refractive indexes n1-n5 of the first-fifth clad layers have d2
其他摘要	用途：通过形成包括插入有源层两侧的第一，第二包层的层结构，在低阈值电流，高效振荡和稳定的基本横向模式下振荡大光输出，顺序层叠第三，第四包层，电流阻挡层，第五包层，使得第五层是通过第四层的沟槽与第三层接触并指定特定层的厚度和各层的折射率的电流阻挡层。组成：n型Al0.45Ga0.55EAs第一包层11，未掺杂Al0.15Ga0.85As有源层12，P型Al0.45Ga0.55As第二包层13，P型Al0.36Ga0。在N型GaAs衬底10上，通过MOCVD法依次生长第四覆盖层14，n型Al0.5Ga0.5As第四覆盖层15和n型GaAs阻挡层16。然后，层16蚀刻15形成条纹槽并暴露层14.然后，依次生长P型Al0.4Ga0.5As第五包层17和P型GaAs盖层18。然后，层13,14的厚度d2，d3和第一至第五包层的折射率n1-n5具有d2
申请日期	1986-03-31
专利号	JP1987230079A
专利状态	失效
申请号	JP1986074905
公开（公告）号	JP1987230079A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82966
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	UENO SHINSUKE. Semiconductor laser. JP1987230079A[P]. 1987-10-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987230079A.PDF（573KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文