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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
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	1988-11-21
专利权人	FUJITSU KK
公开日期	1988-11-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To reduce the temperature dependency of an oscillating threshold current of a semiconductor light emitting device and to improve the effectiveness of an active layer for narrowing the current by composing the device via a P type semiconductor layer before electrons are implanted from an N type clad layer to an active layer. CONSTITUTION:The first semiconductor layer 14 of the second conductive type having a band gap smaller than the layer 13 arranged on the first clad layer 13 of the first conductive type, the second layer 15 of the first conductive type arranged on the layer 14, a striped groove of the depth reaching the layer 14 formed in the layer 15, an active layer 16 having a band gap smaller than the layer 14 arranged in the groove, and the second clad layer 17 having a band gap larger than the layer 16 arranged on the layer 16 are formed. Thus, electrons in the layer 13 are temporarily implanted to the layer 14 to be lowered at the energy level, and then implanted to the layer 16. Accordingly, electron distribution in the layer 16 approaches the equilibrated state. In this manner, the probability of escaping the electrons to the layer 17 can be reduced, thereby improving the temperature dependency.
其他摘要	用途：降低半导体发光器件的振荡阈值电流的温度依赖性，并通过在从N型包层注入电子之前通过P型半导体层构成器件来提高有源层的有效性以缩小电流图层到活动图层。组成：第二导电类型的第一半导体层14的带隙小于布置在第一导电类型的第一包层13上的层13，第一导电类型的第二层15布置在层14上，a到达层15中形成的层14的深度的条纹沟槽，带隙小于布置在沟槽中的层14的有源层16，以及带隙大于布置在沟槽16上的层16的第二覆盖层17形成层16。因此，层13中的电子被临时注入层14以降低能级，然后注入层16.因此，层16中的电子分布接近平衡状态。以这种方式，可以减少电子逃逸到层17的可能性，从而改善温度依赖性。
申请日期	1982-09-22
专利号	JP1988059555B2
专利状态	失效
申请号	JP1982165658
公开（公告）号	JP1988059555B2
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/227
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82899
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU KK
推荐引用方式 GB/T 7714	-. -. JP1988059555B2[P]. 1988-11-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988059555B2.PDF（353KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文