Semiconductor device

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	Semiconductor device
其他题名	Semiconductor device
	SAITOU KATSUTOSHI; MORI MITSUHIRO; MORI TAKAO; SATOU NOBU; KOBAYASHI MASAYOSHI; CHIBA KATSUAKI; KATOU HIROSHI; KOBAYASHI MASAMICHI
	1983-05-10
专利权人	HITACHI SEISAKUSHO KK
公开日期	1983-05-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To prevent the separation of a wiring of semiconductor device by a method wherein a binder of thin film of Ti, Cr, etc., having favorable adhesion is provided between a barrier metal of Mo, etc., and the metal wiring. CONSTITUTION:An N type GaAlAs clad layer 6, an N type GaAlAs active layer 7, a P type GaAlAs clad layer 8, and an N type GaAs layers 9 are formed on an N type GaAs substrate 1 according to the liquid phase growth method, a mask 10 having a slender opening of 2mum width is provided on the layer 9, and Zn is diffused to form a P type layer 1 Then an ohmically connecting layer 12 of Ti or Cr, an Mo barrier metal layer 4, and a binder layer 13 of Ti or Cr are evaporated in order, and an electrode wiring layer 4 of Au or Ag is adhered. After thickness of the substrate 1 is regulated to about 100mum, an AuGe layer 14, an Ni layer 15 are evaporated, a binder layer 13 of Ti or Cr is accumulated, and an electrode 5 of Au or Ag is adhered to complete. By this constitution, the separation of the electrode wiring can be prevented.
其他摘要	用途：为了防止半导体器件的布线分离，其中在Mo的阻挡金属等与金属布线之间提供具有良好粘附性的Ti，Cr等薄膜粘合剂。组成：根据液相在N +型GaAs衬底1上形成N型GaAlAs包层6，N型GaAlAs有源层7，P型GaAlAs包层8和N型GaAs层9在生长方法中，在层9上设置具有2μm宽的细长开口的掩模10，并且使Zn扩散以形成P +型层1然后，形成Ti或Cr的欧姆连接层12，Mo阻挡金属在第4层中，依次蒸发Ti或Cr的粘合剂层13，并粘附Au或Ag的电极配线层4。在将衬底1的厚度调节到约100μm之后，蒸发AuGe层14，Ni层15，累积Ti或Cr的粘合剂层13，并完成Au或Ag的电极5的粘合。通过这种结构，可以防止电极布线的分离。
申请日期	1981-11-04
专利号	JP1983077259A
专利状态	失效
申请号	JP1981175668
公开（公告）号	JP1983077259A
IPC 分类号	H01L29/43 \| H01L21/28 \| H01L29/45 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82886
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI SEISAKUSHO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	SAITOU KATSUTOSHI,MORI MITSUHIRO,MORI TAKAO,et al. Semiconductor device. JP1983077259A[P]. 1983-05-10.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983077259A.PDF（251KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文