Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 林 伸彦; 茨木 晃 | |
| 2003-06-20 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2003-09-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 活性層に垂直方向のビーム広がり角度が小さく、且つ、接合部の温度上昇を抑えることができる高信頼性の半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【解決手段】 レーザの垂直ビーム広がり角度が20度程度と薄い活性層3を中心にして、左右非対称の導波構造を設定し、その左右非対称の屈折率分布によって活性層3からの光のしみ出しを基板1側のクラッド層2の方へ片寄らせ、コンタクト層5側への光のしみ出しを抑え、コンタクト層5側のクラッド層4の膜厚を薄く設定することによって、活性層3で発生した熱をヒートシンク側へ効率良く逃がし温度特性を改善する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供高度可靠的半导体激光元件，其中垂直方向上的光束发散角小，并且对于有源层可以抑制结部分的温度上升。解决方案：利用薄有源层3设置两侧不对称的波导结构，其中激光器的垂直光束发散角以大约20度为中心。来自有源层3的光的渗出被偏向基板1侧的包层2，具有双向不对称的折射系数分布，并且抑制了光向接触层5侧的渗出。然后，将接触层5侧的包覆层4的膜厚设定得薄。因此，有源层3中产生的热量有效地释放到散热器侧，并且改善了温度特性。 |
| 申请日期 | 1996-06-28 |
| 专利号 | JP3443241B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996170281 |
| 公开（公告）号 | JP3443241B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 芝野 正雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82856 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,茨木 晃. 半導体レーザ素子. JP3443241B2[P]. 2003-06-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3443241B2.PDF（267KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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