Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体素子 | |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 駒崎 岩男 | |
| 1994-08-23 | |
| 专利权人 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 公开日期 | 1994-08-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】この発明は、高効率,高出力化を図ることを主要な目的とする。 【構成】基板(11)上に、第1クラッド層(12)、量子井戸活性層(13)を順次介してメサ状第2クラッド層(14)を設け、この第2クラッド層(14)を電流ブロック層(16)で埋め込んでなる屈折率差導波型ダブルヘテロ接合の光半導体素子において、前記量子井戸活性層(13)の単位量子当りの光閉じ込め係数を0.05以下とするとともに、活性層(13)全体の光閉じ込め係数を0.3以上0.6以下とし、かつ端面の反射率を10-4以下にしたことを特徴とする光半導体素子。 |
| 其他摘要 | 本发明的主要目的是实现高效率和高输出。 通过第一包层（12）和量子阱有源层（13）依次在基板（11）上设置台面状的第二包层（14），该第二包层量子阱有源层（13）的每单位量子的光阻系数设定为0.05或更小，并且有源层的光学限制因子（13）一种光学半导体器件，其特征在于，整体的光学限制因子设定为0.3或更大且0.6或更小，并且端面的反射率设定为10 -4 或更小。 |
| 申请日期 | 1993-02-12 |
| 专利号 | JP1994237011A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993024360 |
| 公开（公告）号 | JP1994237011A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82838 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オリンパス光学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 光半導体素子. JP1994237011A[P]. 1994-08-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994237011A.PDF（166KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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