Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 808nm平顶光场大功率激光器 | |
| 其他题名 | 808nm平顶光场大功率激光器 |
| 宁吉丰; 陈宏泰; 车相辉; 王彦照; 林琳; 位永平; 王晶 | |
| 2015-05-06 | |
| 专利权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 公开日期 | 2015-05-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。 |
| 申请日期 | 2015-02-03 |
| 专利号 | CN104600562A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510055185.0 |
| 公开（公告）号 | CN104600562A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 米文智 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82803 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁吉丰,陈宏泰,车相辉,等. 808nm平顶光场大功率激光器. CN104600562A[P]. 2015-05-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104600562A.PDF（502KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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