Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光装置及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 文基愿; 朴钟翼; 金裕承; 吴蕙兰 | |
| 2006-05-03 | |
| 专利权人 | 三星电机株式会社 |
| 公开日期 | 2006-05-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种能抑制由于其输出增加引起的远场水平(FFH)变化的高输出半导体激光装置及其制造方法。根据本发明的半导体激光装置包括第一导电型的第一覆层，形成在衬底上；活性层，形成在第一覆层上；第二导电型的第二覆层，形成在活性层上，并包含具有脊状结构的上部区域，其中第二覆层具有至少一个插入脊状结构的高折射率层，该高折射率层具有高于第二覆层的折射率。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种能抑制由于其输出增加引起的远场水平(FFH)变化的高输出半导体激光装置及其制造方法。根据本发明的半导体激光装置包括第一导电型的第一覆层，形成在衬底上；活性层，形成在第一覆层上；第二导电型的第二覆层，形成在活性层上，并包含具有脊状结构的上部区域，其中第二覆层具有至少一个插入脊状结构的高折射率层，该高折射率层具有高于第二覆层的折射率。 |
| 申请日期 | 2005-06-24 |
| 专利号 | CN1767283A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510080013.5 |
| 公开（公告）号 | CN1767283A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/00 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 李伟 | 宋子良 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82681 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文基愿,朴钟翼,金裕承,等. 半导体激光装置及其制造方法. CN1767283A[P]. 2006-05-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1767283A.PDF（869KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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