Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种微片式激光器 | |
| 其他题名 | 一种微片式激光器 |
| 吴砺; 凌吉武; 陈昭炫; 于云龙; 杨建阳; 陈惠芳; 陈卫民 | |
| 2008-03-19 | |
| 专利权人 | 福州高意通讯有限公司 |
| 公开日期 | 2008-03-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种微片式激光器，其包括泵浦源的半导体激光器、光学耦合系统和微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜，其中微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，致冷片或加热器和热沉保持微片激光器的温度在65℃以上，采用以上结构，使KTP非线性晶体保持65℃以上，缓解或消除其在腔内倍频、差频或和频过程中产生灰迹，从而延长含KTP非线性晶体在腔内倍频、差频或和频的微片式激光器的寿命。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种微片式激光器，其包括泵浦源的半导体激光器、光学耦合系统和微片激光器，微片激光器包括激光增益介质、其它光学元件、KTP非线性晶体和激光腔膜，其中微片激光器设置在致冷片或加热器上，致冷片或加热器设置在热沉上，致冷片或加热器和热沉保持微片激光器的温度在65℃以上，采用以上结构，使KTP非线性晶体保持65℃以上，缓解或消除其在腔内倍频、差频或和频过程中产生灰迹，从而延长含KTP非线性晶体在腔内倍频、差频或和频的微片式激光器的寿命。 |
| 申请日期 | 2006-09-15 |
| 专利号 | CN101145668A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200610096099 |
| 公开（公告）号 | CN101145668A |
| IPC 分类号 | H01S3/042 | H01S3/10 | H01S3/02 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82656 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 福州高意通讯有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴砺,凌吉武,陈昭炫,等. 一种微片式激光器. CN101145668A[P]. 2008-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101145668A.PDF（158KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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