Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	KAWANO HIDEO
	1992-03-12
专利权人	NEC CORP
公开日期	1992-03-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To realize effective current constriction and to enable basic transverse mode oscillation at high output by forming an active layer between first and second conductivity clad layers, by providing a first semiconductor layer of first conductivity type whose refraction factor is larger than that of the active layer to a stripe-shaped mesa side part and an outside, and by providing a second conductivity-type Ga0.5In0.5 P layer to an upper part of the mesa and all over an upper surface of the first semiconductor layer. CONSTITUTION:Etching is carried out to the middle of a p-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P clad layer 15 using concentrated sulfuric acid solution. Thereafter, an n-GaAs current constriction layer 17 is selectively formed on both slants and both flat parts of a mesa part 16 excepting a stripe-shaped SiO2 film mask by second MOVPE growth. After the SiO2 film mask is removed, a p-Ga0.5In0.5P contact layer 18 and a p-GaAs contact layer 19 are formed one by one all over an upper surface through third MOVPE growth. A laser wafer is completed by forming a p-side electrode 20 on a contact layer 19 and an n-side electrode 21 on an n-GaAs substrate 1
其他摘要	目的：为了实现有效的电流狭窄和通过形成第一和第二导电包覆层之间的有源层，通过提供第一导电类型的第一半导体层，其折射系数是比有源的更大，以使得能够在高输出的基本横模振荡通过在台面的上部和第一半导体层的整个上表面上设置第二导电型Ga0.5In0.5P层，可以形成条形台面侧部分和外部层。组成：使用浓硫酸溶液进行蚀刻到p-（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5P包层15的中间。此后，通过第二MOVPE生长，除了条形SiO 2膜掩模之外，在台面部分16的两个斜面和两个平坦部分上选择性地形成n-GaAs电流限制层17。在去除SiO 2膜掩模之后，通过第三MOVPE生长在整个上表面上逐个形成p-Ga 0.5 In 0.5 P接触层18和p-GaAs接触层19。的激光晶片由接触层19和n-GaAs衬底11上的n侧电极21上形成p侧电极20完成。
申请日期	1990-07-19
专利号	JP1992078184A
专利状态	失效
申请号	JP1990191746
公开（公告）号	JP1992078184A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82187
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWANO HIDEO. Semiconductor laser. JP1992078184A[P]. 1992-03-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992078184A.PDF（190KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文