Semiconductor optical amplifier

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor optical amplifier
其他题名	Semiconductor optical amplifier
	HANDA YUICHI
	1991-06-11
专利权人	CANON INC
公开日期	1991-06-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To provide low reflectivity at input and output end faces and to efficiently couple an input and an output to an exterior by employing as a semiconductor substrate in which various semiconductor layers are laminated, an oblique substrate having a substrate surface orientation inclined with respect to the crystal axis direction of the semiconductor substrate. CONSTITUTION:A GaAs oblique substrate 1 having a surface orientation 20 inclined at an angle theta from (x-axis) 21 of a plane orientation [100] to (y-axis) direction of a plane orientation [010] is provided. A first clad layer 17 of n-type AlGaAs, an optical waveguide 2 used also as an active layer of GaAs and a second clad layer 15 of a p-type AlGaAs are sequentially laminated on the substrate 1 by a MBE method. Thereafter, the layer 15 is formed in a ridge state by an etching process using a photolithography method, then insulating layers of SiNx are provided at both sides of the ridge, a cap layer 14 of a p type AlGaAs is provided on the layer 15, and electrodes 12, 18 of Au are attached to the upper and lower surfaces.
其他摘要	目的：通过采用其中层压各种半导体层的半导体衬底，在输入和输出端面提供低反射率并有效地将输入和输出耦合到外部，倾斜衬底具有相对于其倾斜的衬底表面取向。半导体衬底的晶轴方向。组成：提供一个GaAs倾斜基板1，其具有从平面取向[100]的平面方向[100]到（y轴）方向（x轴）21的角度θ倾斜的表面取向20。通过MBE方法在基板1上依次层叠n型AlGaAs的第一包层17，也用作GaAs的有源层的光波导2和p型AlGaAs的第二包层15。此后，通过使用光刻法的蚀刻工艺以脊状态形成层15，然后在脊的两侧提供SiNx的绝缘层，在该层上提供p +型AlGaAs的盖层14。如图15所示，Au的电极12,18附着在上表面和下表面上。
申请日期	1989-10-23
专利号	JP1991136388A
专利状态	失效
申请号	JP1989273710
公开（公告）号	JP1991136388A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/50 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82028
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CANON INC
推荐引用方式 GB/T 7714	HANDA YUICHI. Semiconductor optical amplifier. JP1991136388A[P]. 1991-06-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991136388A.PDF（177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文