Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor optical amplifier | |
其他题名 | Semiconductor optical amplifier |
HANDA YUICHI | |
1991-06-11 | |
专利权人 | CANON INC |
公开日期 | 1991-06-11 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To provide low reflectivity at input and output end faces and to efficiently couple an input and an output to an exterior by employing as a semiconductor substrate in which various semiconductor layers are laminated, an oblique substrate having a substrate surface orientation inclined with respect to the crystal axis direction of the semiconductor substrate. CONSTITUTION:A GaAs oblique substrate 1 having a surface orientation 20 inclined at an angle theta from (x-axis) 21 of a plane orientation [100] to (y-axis) direction of a plane orientation [010] is provided. A first clad layer 17 of n-type AlGaAs, an optical waveguide 2 used also as an active layer of GaAs and a second clad layer 15 of a p-type AlGaAs are sequentially laminated on the substrate 1 by a MBE method. Thereafter, the layer 15 is formed in a ridge state by an etching process using a photolithography method, then insulating layers of SiNx are provided at both sides of the ridge, a cap layer 14 of a p type AlGaAs is provided on the layer 15, and electrodes 12, 18 of Au are attached to the upper and lower surfaces. |
其他摘要 | 目的:通过采用其中层压各种半导体层的半导体衬底,在输入和输出端面提供低反射率并有效地将输入和输出耦合到外部,倾斜衬底具有相对于其倾斜的衬底表面取向。半导体衬底的晶轴方向。组成:提供一个GaAs倾斜基板1,其具有从平面取向[100]的平面方向[100]到(y轴)方向(x轴)21的角度θ倾斜的表面取向20。通过MBE方法在基板1上依次层叠n型AlGaAs的第一包层17,也用作GaAs的有源层的光波导2和p型AlGaAs的第二包层15。此后,通过使用光刻法的蚀刻工艺以脊状态形成层15,然后在脊的两侧提供SiNx的绝缘层,在该层上提供p +型AlGaAs的盖层14。如图15所示,Au的电极12,18附着在上表面和下表面上。 |
申请日期 | 1989-10-23 |
专利号 | JP1991136388A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1989273710 |
公开(公告)号 | JP1991136388A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/50 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82028 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | CANON INC |
推荐引用方式 GB/T 7714 | HANDA YUICHI. Semiconductor optical amplifier. JP1991136388A[P]. 1991-06-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1991136388A.PDF(177KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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