Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 川中 敏; 田中 俊明 | |
| 1995-01-31 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】光損傷レベルが高く、閾値電流が十分に低い高温高出力動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。 【構成】活性層の両側に活性層よりもバンドギャップが小さいクラッド層を設けたダブルヘテロ構造において、少なくとも一方のクラッド層を多層構造とし、活性層に隣接して設けた第一クラッド層の屈折率を他のクラッド層よりも小さくした。 【効果】100℃以上の温度においても100mW以上の光出力が得られる高温高出力動作特性に優れた半導体レーザ素子を実現できる。 |
| 其他摘要 | 目的：通过增加与有源区相邻的第一覆层的带隙并减小第二覆层远离有源区的带隙，降低有源层内的光密度而不减少载流子截留。组成：在基板1上形成缓冲层2，然后将（AlYGa1-Y）0.5In0.5P的Al组分Y设定为0.3 <= Y <= X，并且将第二包层3设为n-（A0。形成6 Ga0.4）0.5In0.5P。然后。 （AlXGa1-X）0.5In0.5P的Al组分X设定为0.6≤x≤0且膜厚度设定为0.03μm-0.5μm，从而形成n-（Al0.7Ga0）的第一包层4 0.3）0.5In0.5P。在第二包层3中，折射率设定在有源层和第一包层4的中间。然后，由多量子阱结构组成的有源层5形成为等于或小于50μm厚。此外，形成第一包层6，蚀刻停止层7，第二包层8等。 |
| 申请日期 | 1993-07-09 |
| 专利号 | JP1995030188A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993170016 |
| 公开（公告）号 | JP1995030188A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81997 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995030188A[P]. 1995-01-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995030188A.PDF（24KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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