Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置 | |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 松元 理; 冨谷 茂隆; 中野 一志; 長井 政春; 伊藤 哲; 石橋 晃; 森田 悦男 | |
| 1996-02-20 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1996-02-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 本発明は、活性層およびガイド層またはその周辺層の結晶性を高めて、発振性能の向上を図る。 【構成】 III-V 族化合物半導体からなる半導体基体11上に複数のII-VI 族化合物半導体層12を形成した光半導体装置1 であって、II-VI 族化合物半導体層12のうちのn形伝導のクラッド層22中、またはそのクラッド層22とガイド層24との間に、II-VI 族化合物半導体で形成した超格子23を少なくとも一組以上設けたものである。また、半導体基体11とII-VI 族化合物半導体層12との間に超格子(図示せず)を少なくとも一組以上設けたものである。もしくは、ガイド層24と活性層25との間またはガイド層24中にII-VI 族化合物半導体で形成した超格子(図示せず)が少なくとも一組以上設けたものである。 |
| 其他摘要 | 用途：通过提高有源层和引导层或其外围层的可结晶性来改善振荡性能。组成：这是一个半导体器件1，其中多个II-VI族化合物半导体层12形成在由III-V族化合物半导体组成的半导体衬底11上，其中至少一组或多组超晶格23由在II-VI族化合物半导体层12的n型导电的包层22中或在包层22和导向层24之间的II-VI族化合物半导体。此外，该光半导体装置具有至少一个半导体基体11和II-VI族半导体层12的超晶格中的一个或多个。或者，该光半导体装置在引导层24之间设置有由II-VI族化合物半导体形成的至少一组或多组超晶格。和有源层25。 |
| 申请日期 | 1994-08-05 |
| 专利号 | JP1996051251A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994204245 |
| 公开（公告）号 | JP1996051251A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 船橋 國則 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81947 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松元 理,冨谷 茂隆,中野 一志,等. 光半導体装置. JP1996051251A[P]. 1996-02-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996051251A.PDF（108KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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