Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor light-emitting device | |
其他题名 | Semiconductor light-emitting device |
FURUMIYA SATOSHI | |
1986-03-06 | |
专利权人 | FUJITSU LTD |
公开日期 | 1986-03-06 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To avoid a diffusion having an adverse effect on a luminescent function, and to improve yield on manufacture by interposing a P type GaAs layer having impurity concentration lower than a P type GaAs substrate between the substrate and a clad layer. CONSTITUTION:A P type GaAs buffer layer 1a having impurity concentration lower than a substrate 1 is grown on the substrate 1 in an epitaxial manner before a current limiting layer 2 is grown, and the buffer layer 1a is added and interposed between the substrate 1 and the current limiting layer 2. Accordingly, the diffusion of Zn from the substrate 1 is absorbed by the P type GaAs layer 1a, and an impurity in the P type GaAs layer 1a diffusing to the current limiting layer 2 is made largely less than Zn while an effect on a clad layer 4 of the diffusion of the impurity is prevented, thus obviating the deterioration of the functions of a PNP junction and a laser luminescent mechanism, then improving yield on the manufacture of a semiconductor light-emitting device. |
其他摘要 | 目的:为了避免扩散对发光功能产生不利影响,并通过在基板和包层之间插入杂质浓度低于P型GaAs基板的P型GaAs层来提高制造成品率。组成:在生长限流层2之前,以外延方式在基板1上生长杂质浓度低于基板1的AP型GaAs缓冲层1a,并且添加缓冲层1a并插入基板1和基板1之间。因此,Zn从衬底1的扩散被P型GaAs层1a吸收,并且扩散到限流层2的P型GaAs层1a中的杂质大大小于Zn,而防止了杂质扩散对包层4的影响,从而避免了PNP结和激光发光机构的功能的恶化,从而提高了半导体发光器件制造的产量。 |
申请日期 | 1984-08-11 |
专利号 | JP1986046087A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1984168169 |
公开(公告)号 | JP1986046087A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81889 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | FURUMIYA SATOSHI. Semiconductor light-emitting device. JP1986046087A[P]. 1986-03-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1986046087A.PDF(190KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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