Semiconductor light-emitting device

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	Semiconductor light-emitting device
其他题名	Semiconductor light-emitting device
	FURUMIYA SATOSHI
	1986-03-06
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1986-03-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To avoid a diffusion having an adverse effect on a luminescent function, and to improve yield on manufacture by interposing a P type GaAs layer having impurity concentration lower than a P type GaAs substrate between the substrate and a clad layer. CONSTITUTION:A P type GaAs buffer layer 1a having impurity concentration lower than a substrate 1 is grown on the substrate 1 in an epitaxial manner before a current limiting layer 2 is grown, and the buffer layer 1a is added and interposed between the substrate 1 and the current limiting layer 2. Accordingly, the diffusion of Zn from the substrate 1 is absorbed by the P type GaAs layer 1a, and an impurity in the P type GaAs layer 1a diffusing to the current limiting layer 2 is made largely less than Zn while an effect on a clad layer 4 of the diffusion of the impurity is prevented, thus obviating the deterioration of the functions of a PNP junction and a laser luminescent mechanism, then improving yield on the manufacture of a semiconductor light-emitting device.
其他摘要	目的：为了避免扩散对发光功能产生不利影响，并通过在基板和包层之间插入杂质浓度低于P型GaAs基板的P型GaAs层来提高制造成品率。组成：在生长限流层2之前，以外延方式在基板1上生长杂质浓度低于基板1的AP型GaAs缓冲层1a，并且添加缓冲层1a并插入基板1和基板1之间。因此，Zn从衬底1的扩散被P型GaAs层1a吸收，并且扩散到限流层2的P型GaAs层1a中的杂质大大小于Zn，而防止了杂质扩散对包层4的影响，从而避免了PNP结和激光发光机构的功能的恶化，从而提高了半导体发光器件制造的产量。
申请日期	1984-08-11
专利号	JP1986046087A
专利状态	失效
申请号	JP1984168169
公开（公告）号	JP1986046087A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81889
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	FURUMIYA SATOSHI. Semiconductor light-emitting device. JP1986046087A[P]. 1986-03-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986046087A.PDF（190KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文