Semiconductor laser device and method for manufacturing the same

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	Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
其他题名	Semiconductor laser device and method for manufacturing the same
	SHIN, YOUNG CHUL
	2008-03-04
专利权人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
公开日期	2008-03-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present invention provides a semiconductor laser device capable of improving reproducibility and electrical properties of the device, and a manufacturing method thereof. The semiconductor laser device according to the invention includes a first p type AlGaInP-based clad layer formed on an active layer, and a second p-type AlGaInP-based clad layer formed on the first p-type AlGaInP-based clad layer and having a ridge structure. The first p-type AlGaInP-based clad layer is Zn-doped with a concentration that restrains Zn diffusion into the active layer, and the second p-type AlGaInP-based clad layer is Mg-doped with a concentration higher than that of the first AlGaInP-based clad layer.
其他摘要	本发明提供一种能够提高器件的再现性和电特性的半导体激光器件及其制造方法。根据本发明的半导体激光器件包括形成在有源层上的第一p型AlGaInP基包层，和形成在第一p型AlGaInP基包层上并具有第二pGaAlPInP基层的第二p型AlGaInP基包层。脊结构。第一p型AlGaInP基覆层是Zn掺杂的，其浓度限制Zn扩散到有源层中，第二p型AlGaInP基覆层是Mg掺杂的，其浓度高于第一层的浓度。AlGaInP基包层。
申请日期	2005-12-28
专利号	US7339966
专利状态	失效
申请号	US11/319081
公开（公告）号	US7339966
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	MCDERMOTT WILL & EMERY LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81877
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIN, YOUNG CHUL. Semiconductor laser device and method for manufacturing the same. US7339966[P]. 2008-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7339966.PDF（129KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文