結晶成長方法

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	結晶成長方法
其他题名	結晶成長方法
	近藤正彦; 皆川重量; 梶村俊
	1998-09-18
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1998-11-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable forming a heterojunction between materials having different crystal structures, by using the so-called atomic layer epitaxial growth method wherein a crystal is grown one atomic layer by one atomic layer, by supplying anion and cation alternately in time domain, to the boundary surface of solid phase crystal growth. CONSTITUTION:The face (100) of zinc blended structure crystal is alternately laminated with monoatomic layers of anion and cation. In the case where the surface of the face (100) is formed by anion, when cation of a material, which originally has wurtzite structure, reaches the surface, bond to take wurtzite structure does not come out, so that it is taken in a lattice position of cation of the wurtzite structure. In this manner, by supplying anion and cation alternately in time domain to the growth boundary surface, the one which is originally wurtzite structure is turned into zinc blende structure being crystal structure of substrate, and excellent heterojunction is obtained.
其他摘要	用途：通过使用所谓的原子层外延生长方法，能够在具有不同晶体结构的材料之间形成异质结，其中晶体通过一个原子层生长一个原子层，通过在时域中交替地提供阴离子和阳离子，固相晶体生长的界面。组成：锌混合结构晶体的面（100）交替层压阴离子和阳离子的单原子层。在表面（100）的表面由阴离子形成的情况下，当原本具有纤锌矿结构的材料的阳离子到达表面时，取出纤锌矿结构的粘合不会出现，因此它被带入纤锌矿结构阳离子的晶格位置。以这种方式，通过在生长界面交替地提供时间域中的阴离子和阳离子，原来纤锌矿结构的阴离子和阳离子变成闪锌矿结构，是基板的晶体结构，并且获得优异的异质结。
申请日期	1987-12-11
专利号	JP2828979B2
专利状态	失效
申请号	JP1987311915
公开（公告）号	JP2828979B2
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L \| H01S \| H01L21/203 \| H01S5/00
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81846
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	近藤正彦,皆川重量,梶村俊. 結晶成長方法. JP2828979B2[P]. 1998-09-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2828979B2.PDF（37KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文